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Tecnología para Investigar

Mapa de las ICTS

Mapa de las Infraestructuras Científicas y Técnicas Singulares (ICTS)

Infraestructura de Micro y Nano Fabricación del Centro de Tecnología Nanofotónica de la UPV (NF – CTN)

Esta ICTS Distribuida está integrada por la Sala Blanca Integrada de Micro y Nano Fabricación del Centro Nacional de Microelectrónica del CSIC, localizada en Barcelona; Central de Tecnología del Instituto de Sistemas Opto-electrónicos de la UPM, localizada en Madrid y Infraestructura de Micro y Nano fabricación del Centro de Tecnología Nanofotónica de la UPV, localizada en Valencia. Las tres infraestructuras están coordinadas para dar servicio a toda la comunidad científica en el ámbito de la Microelectrónica, Optoelectrónica y Nanofotónica. En su conjunto, ofrecen más de 2.000 m2 de salas blancas (clases 10-100-10.000) a la comunidad científica y a la industria y laboratorios asociados de encapsulado y caracterización de dispositivos y sistemas.

Esta infraestructura depende de la UPVLC y está situada en el Campus de Vera. Comenzó su actividad a finales del año 2009, ofreciendo desde entonces servicios de nanofabricación. NF-CTN dispone de una línea completa de micro-nanofabricación de dispositivos integrados sobre obleas de silicio (150 mm), ubicada en una sala limpia de 500 m2 que incluye las capacidades tecnológicas siguientes: litografía óptica (alineadores de máscaras y steppers) y de escritura directa por cañón de electrones, deposición de resinas y revelador, deposición de dieléctricos y metales, ataques químicos (húmedo y seco), implantador iónico, etc. Igualmente, se dispone de un laboratorio completo de ensamblado y encapsulado de componentes fotónicos integrados, laboratorios de caracterización física y óptica de dispositivos, así como un laboratorio de caracterización de sistemas y redes ópticas. La instalación ofrece servicios completos de prototipado rápido para grupos de investigación (básica y aplicada) y empresas tecnológicas, incluyendo desde la consultoría en diseños y soluciones completas basadas en fotónica integrada de silicio, hasta la fabricación parcial (procesos específicos) o completa de dispositivos fotónicos pasivos y activos en silicio. Además, se llevan a cabo los procesos de caracterización tanto física como óptica de los dispositivos o estructuras fabricadas.

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